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MGSF1N03L, MVGSF1N03L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.24
0.19
0.14
V GS = 4.5 V
150 ° C
25 ° C
0.16
0.14
0.12
0.1
V GS = 10 V
150 ° C
25 ° C
0.09
-55 ° C
0.08
0.06
-55 ° C
0.04
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.04
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
10
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10 V
I D = 2 A
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
8
6
V DS = 24 V
T J = 25 ° C
0.8
4
0.6
0.4
0.2
2
I D = 2.0 A
0
- 55
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
1
350
Q T , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 6. Gate Charge
V GS = 0 V
300
f = 1 MHz
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
250
T J = 25 ° C
200
0.01
150
100
50
C iss
C oss
C rss
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0
4
8
12
16
20
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (Volts)
Figure 8. Capacitance
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